《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2016年版)》(一)



13、电子及医疗专用装备

编号

产品名称

单位

主要技术指标

备注

13.1

电子专用装备

13.1.1

半导体材料生产装备

13.1.1.1

智能数控金刚线多线切割机

加工工件尺寸≥150×150×300mm

 

13.1.1.2

TDQ-601碳化硅多线切割机

切割线直径:0.1-0.25mm;线速度:1500m/minMax);摆动角度:±7°

 

13.1.1.3

高纯碳化硅粉料合成炉

纯度≥99.995%;晶型:β-SiC;粒度:200-1000μm;氮浓度≤10ppm

 

13.1.2

太阳能电池生产装备

13.1.2.1

全自动硅片品质分选设备

产能≥3600/小时;碎片率≤0.5‰;检测方式:在线非接触检测

 

13.1.2.2

高效晶体硅太阳能电池减压扩散炉

产能≥1000 pcs/管;压力控制精度≤±1mbar;恒温区长度≥1300mm;恒温区温度精度≤±0.5/1300mm8011100℃)

 

13.1.2.3

全自动化等离子体增强化学气相沉积装备(PECVD

太阳能电池生产:单管产能≥308/批;成膜均匀性:片内≤3%,片间≤2%,批间≤2%

集成电路生产:晶元尺寸≤300mm,成膜均匀性:片内≤2%,批间≤2%

 

13.1.2.4

在线湿法刻蚀清洗机

去除硅片正面的磷硅玻璃;产能≥3300/小时

 

13.1.2.5

全自动印刷烘干烧结系统

产能≥3800/时;碎片率≤0.1%

 

13.1.2.6

碲化镉/碲化镉薄膜太阳能电池真空气相沉积装置

硫化镉薄膜20-100 nm;碲化镉薄膜2-5μm;薄膜均匀性2%;节拍时间45-90秒;基板尺寸≥600×1200mm

 

13.1.2.7

CIGS太阳能电池组件背电极磁控溅射设备

基板尺寸≥3.3×6m;节拍时间60-90秒;薄膜均匀性2%;方阻小于0.6ohm;导电层厚度220-450nm

 

13.1.3

高亮度发光二极管生产装备

13.1.3.1

金属有机气相沉积装备(MOCVD

晶片尺寸≥2英寸;控温精度±1

 

13.1.3.2

氧化铟锡(ITO)溅射装备

兼容2-12英寸晶圆;温度±300℃可调;2英寸晶圆产能≥150/h

 

13.1.3.3

碳化硅(SiC)外延生长设备

晶片尺寸≥4英寸;最高温度:1700℃;控温显示精度≤±1

 

13.1.3.4

氮化铝薄膜沉积(AlN PVD)装备

2-12英寸片;沉积温度400-700℃;单腔产能(2英寸)≥100/h