新华社:“超分辨光刻装备项目”通过国家验收 可加工22纳米芯片(2018-12-13)



新华社:“超分辨光刻装备项目通过国家验收 可加工22纳米芯片

新华社成都1129日电记者董瑞丰吴晓颖国家重大科研装备研制项目超分辨光刻装备研制”1129日通过验收该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制光刻分辨力达到22纳米结合双重曝光技术后未来还可用于制造10纳米级别的芯片

中科院理化技术研究所许祖彦院士等验收组专家一致表示该光刻机在365纳米光源波长下单次曝光最高线宽分辨力达到22纳米项目在原理上突破分辨力衍射极限建立了一条高分辨大面积的纳米光刻装备研发新路线绕过国外相关知识产权壁垒

光刻机是制造芯片的核心装备我国在这一领域长期落后它采用类似照片冲印的技术把母版上的精细图形通过曝光转移至硅片上一般来说光刻分辨力越高加工的芯片集成度就越高但传统光刻技术由于受到光学衍射效应的影响分辨力进一步提高受到很大限制

为获得更高分辨力传统上采用缩短光波增加成像系统数值孔径等技术路径来改进光刻机但技术难度极高装备成本也极高

项目副总设计师胡松介绍中科院光电所此次通过验收的表面等离子体超分辨光刻装备打破了传统路线格局形成一条全新的纳米光学光刻技术路线具有完全自主知识产权已授权国家发明专利47项国外授权专利4),为超材料/超表面第三代光学器件广义芯片等变革性领域的跨越式发展提供了制造工具

据了解这种超分辨光刻装备制造的相关器件已在中国航天科技集团公司第八研究院

电子科技大学四川大学华西医院中科院微系统所等多家科研院所和高校的重大研究任务中得到应用