北方华创 发布全新12英寸设备，包括NMC612H电感耦合等离子体（ICP）刻蚀设备、Qomola HPD30混合键合设备、Gluoner R50 W2W混合键合设备，以及搭载自研AI-NEXUS系统的Ausip T830 TSV电镀设备。其中NMC612H聚焦先进逻辑与存储领域，可适配关键技术节点的逻辑芯片硅刻蚀、3D-NAND硅刻蚀和台阶刻蚀，以及DRAM制程中的导体和金属掩膜刻蚀工艺，攻克多项技术难题，将ICP小尺寸刻蚀深宽比提升至数百比一，均匀性达埃米级；Qomola HPD30混合键合设备让北方华创成为国内率先完成D2W混合键合设备客户端工艺验证的厂商，标志着其进入3D集成混合键合装备领域。

中微公司 推出四款新品，分别为新一代电感耦合ICP等离子体刻蚀设备Primo Angnova™、高选择性刻蚀机Primo Domingo™、Smart RF Match智能射频匹配器以及蓝绿光Micro LED量产MOCVD设备Preciomo Udx®。其中Primo Domingo™的推出，标志着中微公司在高选择性刻蚀设备领域实现了重要突破，填补了国内在下一代3D半导体器件制造中关键刻蚀工艺的自主化空白；Primo Angnova™为5纳米及以下逻辑芯片技术以及同等技术节点难度的先进存储芯片的制造领域，提供了自主可控、技术领先的ICP刻蚀工艺解决方案，进一步丰富了公司的产品组合与系统化解决方案能力。

拓荆科技 发布ALD系列VS-300T Astra-s SiN、PF-300T Altair TiN，PECVD系列PF-300L Plus nX，3D IC系列全球首创的Volans 300键合空洞修复设备。其中：ALD新品兼顾先进性能与高产能，具备优异的坪效比；PECVD新品可应用于先进逻辑后道层低介电薄膜，实现介质薄膜“低介电常数”与“高机械强度”的双重突破；Volans 300键合空洞修复设备专为解决键合界面空洞问题设计，有效解决行业痛点，提升3D IC良率与产线稳定性，重点聚焦先进逻辑芯片Chiplet异构集成、三维堆叠及HBM相关应用。

华海清科 推出CMP装备Universal-S300、Universal-300FS，12英寸大束流离子注入机iPUMA-LE，晶圆边缘修整机Versatile-DT300、晶圆边缘抛光机Master-BN300等。

中电科装备集团 推出新款离子注入机、新型检测设备、12英寸卧式炉、WGP-1271C三轴四工位全自动减薄机等多款新装备，充分展现了其从“单点设备”向“整线集成”与“系统解决方案”的关键技术突破。

凯世通 发布Hyperion先进制程大束流、iKing 360中束流离子注入机两大系列新品，覆盖先进逻辑、先进存储、碳化硅等多元应用场景，适配6/8英寸碳化硅工艺，可满足SiC、GaN等宽禁带半导体的高温/极低温注入需求，助力宽禁带半导体产业化发展。

微导纳米 发布iTomic^® SPX系列空间型原子层沉积系统，采用独创的空间ALD技术，在保持近100%台阶覆盖率的同时，大幅提升沉积速率，提高化学源利用率，完美匹配存储芯片量产线对产能与薄膜质量的双重需求。iTronix^®PE系列等离子体增强化学气相沉积系统，基于专有的冷却和低温技术，可在50~450°C的温度区间内实现高质量薄膜沉积，满足先进封装技术对低热预算、高纵横比沟槽、高晶圆翘曲度、超厚膜沉积等低温高质量薄膜的需求，有效提升封装良率。

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