2026-04-03 15:40:05
2026年GaN市场规模营收预计将达到9.2亿美元，较2025年增长58%。
据全球领先的功率半导体和物联网公司英飞凌科技（Infineon Technologies）近期发布的一份报告显示，在氮化镓（GaN）功率解决方案日益普及的推动下，电力电子行业正经历着一场重大变革。这份2026年版年度《GaN Insights》报告深入剖析了GaN技术、其应用及未来前景。
“GaN已成为市场现实，并在各个行业获得了广泛应用，”英飞凌GaN系统业务线负责人Johannes Schoiswohl表示。
据分析师预测，到2030年，氮化镓（GaN）功率半导体市场规模预计将达到近30亿美元，较2025年增长400%。这一快速增长主要得益于2025年开始的大规模产能爬坡，这将扩大GaN在多个行业的应用，并使其渗透到新的应用领域。事实上，预计2025年至2030年间，该市场将以44%的复合年增长率（CAGR）增长，2026年营收预计将达到9.2亿美元，较2025年增长58%。
氮化镓材料适用于高频、高温、高功率应用。作为一种宽禁带材料，和硅等传统半导体材料相比，具有更高的击穿场强、更快的电子迁移率和更高的饱和电子速率，具备导通损耗小、开关频率高、可双向导通等优势，能够在更高压、更高频、更高温度环境下运行。氮化镓制成的功率器件一般被称为GaN HEMT（High Electron Mobility Transistor，高电子迁移率晶体）。
从衬底材料来看，硅衬底成本仅为碳化硅的1/10，且可直接利用现有8英寸硅晶圆产线，硅基氮化镓（GaN-on-Si）因此成为最具成本优势的技术路线。
（来自：半导体产业纵横）
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