2026-05-29 15:18:35
近日，盛美半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“盛美上海”）宣布，其首台等离子体增强化学气相沉积（PECVD）碳氮化硅（SiCN）设备已正式出机，现发往客户端进行最终验证。该设备专为300毫米晶圆工艺设计，最高工艺温度可达400摄氏度。该平台配置有四个晶圆装载口及三个工艺腔体，以支持高效的晶圆传送与工艺运行。
该设备旨在支持55纳米及以下高端IC工艺的后段金属互联工艺应用中的PECVD NDC (SiCN)工艺，应用场景包括铜氧化抑制、铜扩散阻挡层及刻蚀停止层。
(来自：盛美上海)
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